Astăzi 02 noiembrie 2024
Teste Qualcomm Snapdragon 8 Elite au arătat că smartphone-urile echipate cu acesta sunt predispuse la supraîncălzire
Chipul mobil Qualcomm Snapdragon 8 Elite promite să revoluționeze și să asigure smartphone-urilor Android o viteză de operare comparabilă cu cea a iPhone-ului. Totuși, această performanță poate fi afectată dacă procesorul se supraîncălzește excesiv.
Unul dintre primele telefoane cu Snapdragon 8 Elite va fi Realme GT7 Pro — acesta a ajuns deja în mâinile jurnaliștilor, care au raportat că se poate supraîncălzi în timpul utilizării. Procesorul central conține două nuclee principale la 4,32 GHz și șase nuclee performante la 3,53 GHz, fiind fabricat folosind procesul tehnologic TSMC de 3 nm. Qualcomm promite o creștere a performanței procesorului de 40% și a subsistemului grafic de 45%. Chipul oferă, de asemenea, o eficiență energetică îmbunătățită comparativ cu predecesorul său, Snapdragon 8 Gen 3.
Totuși, în timpul testelor de stres, Realme GT7 Pro s-a încălzit atât de tare încât s-au activat mecanismele de protecție, iar aplicația de benchmark a încetat să funcționeze, fără a finaliza măsurătorile de performanță. S-au închis toate aplicațiile, cu excepția „Telefonului” și „Mesajelor”. Chiar și cu un sistem de răcire, problema a fost atribuită posibilei încercări a telefonului de a înșela benchmark-ul, încălcând limitele de putere.
În jocuri, dispozitivul s-a comportat adecvat, încălzindu-se ușor după o sesiune de 30 de minute, oferind o performanță ridicată fără alte probleme semnificative. În benchmark-urile alternative, Snapdragon 8 Elite s-a dovedit a fi doar cu 11–13% mai rapid decât predecesorul, ceea ce nu corespunde complet afirmației Qualcomm despre o creștere a vitezei de 40%. Aceasta ar putea fi rezultatul caracterului sintetic al muncii benchmark-urilor, iar alte explicații mai puțin plăcute pentru Realme și Qualcomm nu sunt excluse.
Caracteristică | Detalii |
---|---|
Nuclee principale | 2 nuclee la 4,32 GHz |
Nuclee performante | 6 nuclee la 3,53 GHz |
Tehnologie | TSMC 3 nm |
Creștere performanță CPU | 40% |
Creștere performanță GPU | 45% |
© 1997—2024 Publicație periodică electronică | Certificat de înregistrare a mass-media El FS 77-22224
În cazul citării documentului, linkul către sursă este obligatoriu.